Sheath RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교
2023.01.11 20:48
안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.
그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.
대략 맞는 분석입니다. 게시판에서 플라즈마 주파수와 쉬스 형성에 대해서 좀 더 조사해 보세요. 개념 정립에 도움이 될 것 같습니다. 요즘 dual f bias 가 유행이죠? 왜 그 특정 주파수의 중첩을 공정에서 필요로 하는지 이해가 가능할 겁니다.