안녕하십니까, 교수님. 전자과에 재학중인 3학년 학부생입니다.

EEDF에서 Bi-maxwellian과 Druyvesteyn 분포가 나타나는 원인에 대해 알아보고 있는데,

Bi-maxwellian 분포는  저압에서 나타나고, 낮은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락하며,

반면 Druyvesteyn 분포는 고압에서 나타나고, 높은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락한다고 알게 되었습니다.

Bi-maxwellian 분포에서 낮은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락하는 것은, E-mode에서는 낮은 에너지의 전자들이 쉬스 내로 진입하지 못하고, H-mode에서는 Skin depth 내로 진입하지 못하기 때문이라고 생각했습니다.(Skin layer와 Sheath의 region이 겹치므로)

다만 이것이 '저압'과 무슨 관계가 있는지는 잘 떠오르지 않습니다.

+) 이러한 접근이 아닌, 저압=저밀도 플라즈마=E-mode, 고압=고밀도 플라즈마=H-mode로 해석해야 할까요?

Druyvesteyn 분포에서 높은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락하는 것은, 고압의 경우 전자-중성종의 충돌 주파수가 RF 주파수보다 유의미하게 높을 것이고, 높은 에너지의 전자들은 이러한 충돌이 더욱 빈번하기 때문에 에너지를 얻기 힘들다고 생각해보았는데, 맞는 접근 방법인지 궁금합니다.

감사합니다.