안녕하세요, 현재 Plasma에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

 

PECVD를 사용하여 SiO2를 증착한 경험이 있는데, 해당 공정에서 Side부분이 상대적으로 두껍게 증착이 되는 현상을 관찰한 경험이 있습니다.

 

자료를 찾아보니 Standing wave effect, skin effect로 인한 이슈이며, 해당 내용은 실제 산업에서도 공정 이슈로 작용한다고 알고 있습니다.

 

하지만, 정확한 Standing wave effect 가 무엇인지, 어떠한 이유에 의해 균일한 증착이 이루어지지 않는지 궁금합니다.

 

또한, 해당 문제를 해결하기 위한 방법엔 어떠한 것이 있나요??

 

개인적인 제 생각으로는 비활성기체를 챔버내에 혼합하여 증착되는 precursor를 분산시켜 균일한 증착을 유도하거나, 그냥 증착한뒤 Over etch를 진행하는 것이 좋을 것 같다고 생각합니다.

 

제 생각이 맞는지 궁금하고, 어떠한 방법들이 있는지도 궁금합니다!

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