Etch 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문
2024.02.23 10:50
안녕하세요,
먼저 연구개발에 좋은 창구를 열어주시고 관리해주셔서 항상 감사하게 생각하고 있습니다. 다시한번 감사드립니다.
제 질문은,
ICP 장비로 자성물질을 마이크로 단위로 두껍게 에칭하고 있습니다. 해당 장비는 공정 시간이 늘어남에따라 Cooling 시스템이 부족하여 중간 Idle time을 넣고 Cyclic하게 공정을 진행하고 있는데요.
여기서 궁금한게 중간마다 Idle time 을 넣고 idle time 시간을 늘리는게 Etching에 영향을 많이 줄까요?
Continuous 하게 Plasma가 켜질 경우에는 Physically sputtering + Chemical reaction 이 동시에 일어나면서 진행이 될텐데
반복적으로 Plasma가 꺼지고 Idle time이 있으면 반응 gas와 Chemically reaction 되어 표면에 Byproduct가 생기고 잔여되고 Cooling되면서 다시 이물질이 Etching mask역할을 해서 안좋아 질수도 있을 것 같아서요
해당관련해서 경험이 있으시면 답변 부탁드리겠습니다!
댓글 1
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