Etch RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소
2022.03.24 15:39
안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다.
최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.
RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다.
가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.
감사합니다.
댓글 1
-
김곤호
2022.04.17 09:41
DC 바이어서 혹은 Self Bias 주제어로 검색해 보시기를 추천드립니다. Self bias는 타킷이 가진 capacitor 성질에 따라서 표면에 플라즈마 전자들의 하전량에 의해 결정되게 됩니다. 여기서 cap 성질이라면 타킷의 양면, 즉 전력이 인가되는 chuck 표면의 전위와 타킷과 사이의 간극이 갖는 축전용량과 타킷 물질의 축전용량으로 크게 구성이 될 것 같습니다. 따라서 wafer chucking 에서 큰 변화가 없고 bias 전압이 바뀌고 있다면 chucking 특성의 변화, 즉 wafer 간극의 변화에 의해 cap이 바뀐 상태가 아닌가 의심이 됩니다. 만일 간간이 이런일이 일어난다면 chucking 상태를 감시해 보는 것도 방법일 것 같고, 또는 chucking이 잘 되고 있는지의 판단 자료로서 활용도 가능할 것 같습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93631 |
639 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 792 |
638 | 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] | 800 |
637 | 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] | 804 |
636 |
Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다.
[1] ![]() | 807 |
635 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 808 |
634 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 809 |
633 | 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] | 812 |
632 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 813 |
631 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 824 |
630 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 829 |
629 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 835 |
628 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 835 |
627 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 843 |
626 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 849 |
625 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 850 |
624 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 852 |
623 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 854 |
622 | PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] | 864 |
621 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 864 |
620 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 867 |