안녕하세요.  석사과정생인 최하림입니다.

늘 좋은 답변남겨주셔서 감사드립니다.

마이크로 웨이브 플라즈마 방식으로 ion gun에서 수소 플라즈마를 생성시키고 process chamber까지 나오는 전하들을 이용하여 2d물질 표면에 수소를 흡착시키는 실험을 진행하고 있습니다.(샘플은 [Si/SiO2/2d박막] 이러한 구조입니다.) (ion gun에서 process chamber에 있는 샘플까지의 거리는 약 10cm정도입니다.)

그런데 2d물질 샘플을 ion gun과 마주보지 않은 상태로 샘플에 back gate voltage를 걸어주면 샘플 표면에 수소처리가 됩니다 ( back gate voltage는 +100V, -100V 둘다 걸어주었는데 두 경우 모두 수소가 흡착된 데이터를 얻었습니다.) 

참고로 마주보지 않은 상태로 back gate voltage를 걸어주지 않으면 샘플 표면에 수소처리가 되지 않습니다.

제가 생각하기로는 positive back gate voltage를 걸어주면 그 샘플 주변에 전기장이 형성되어 전자가 힘을 받아 주변의 중성가스인 H2와 충돌하여 이온화되어 샘플에 흡착된다거나, negative back gate voltage인 경우에는 +를 띄는 ion이  끌려온다고 밖에 예상하지 못했습니다


ion gun에서 나오는 전하들이 직진성을 가지고 있는 것은 알고 있지만. back gate voltage를 걸어줌으로써 그 전하들이 휘어서 샘플에 흡착되는 것이 가능한가요?  

process chamber에서 전하들의 움직임이나 electrical potential에 의한 전하들의 움직임에 관련된 논문이나 게시글이 있는지 여쭤봐도 될까요?



감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76908
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20295
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57215
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68765
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92728
599 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 901
598 Plasma Generator 관련해서요. [1] 913
597 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 931
596 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 936
595 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 944
594 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 960
593 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 967
592 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] 969
591 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 970
590 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 976
589 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 978
588 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 979
587 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 993
586 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 997
585 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 1007
584 anode sheath 질문드립니다. [1] 1008
583 고진공 만드는방법. [1] 1015
582 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1018
581 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1020
580 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1021

Boards


XE Login