기초적인 질문인데요

PECVD 장비에서 Cleaning을 할때 보통 Remote plasma NF3 + Ar Gas를 사용하는데요

Ar Gas의 정확한 역할을 알고 싶습니다.

 

Purge나 Carrier 용도라면 N2나 O2도 사용가능한데 굳이 Ar을 사용하는 다른 목적이 있는건지 궁금합니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76698
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20154
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
587 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 970
586 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 978
585 anode sheath 질문드립니다. [1] 980
584 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 991
583 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 997
582 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 999
581 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1003
580 고진공 만드는방법. [1] 1006
579 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
578 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1012
577 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1020
576 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1028
575 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
574 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1036
573 플라즈마 코팅 [1] 1036
572 Plasma Arching [1] 1040
571 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
570 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1047
569 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1047
568 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1052

Boards


XE Login