Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.

플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.

플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데

질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요? 

질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103374
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24719
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61542
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73525
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105965
614 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [Particle 관리] [1] 1219
613 RF tune position과 Vms의 관계가 궁금합니다. [Chamber component, Matcher] [1] 1228
612 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 1230
611 플라즈마 코팅 [The Materials Science of Thin Films] [1] 1239
610 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [오존발생기] [1] 1240
609 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1241
608 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [임피던스 매칭] [1] 1242
607 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [I-V characteristic 방전 커브] [2] 1245
606 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [ICP, CCP 플라즈마 heating] [1] 1246
605 자기 거울에 관하여 1248
604 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 1255
603 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1268
602 Self bias 내용 질문입니다. [쉬스와 표면 전위] [1] 1269
601 반도체 METAL ETCH시 CH4 GAS의 역할 [플라즈마 식각기술] [1] 1275
600 고진공 만드는방법. [System material과 design] [1] 1283
599 아래 382번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [Self bias와 capacitance] [1] 1287
598 Plasma에서 Coupled(결합)의 의미 [Power coupling과 breakdown] [1] 1290
597 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [Light flower bulb] [1] 1293
596 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1302
595 3-body recombination 관련 문의드립니다. [Energy 보존 및 momentum 보존] [2] 1314

Boards


XE Login