Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1277

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75427
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56479
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67558
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89368
528 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1091
527 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1093
526 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1099
525 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1106
524 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1115
523 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1121
522 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1122
521 플라즈마 관련 교육 [1] 1129
520 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1157
519 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1158
518 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1182
517 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1183
516 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1185
515 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1190
514 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1204
513 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1207
512 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1212
511 plasma 형성 관계 [1] 1216
510 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1217
509 플라즈마 기초입니다 [1] 1219

Boards


XE Login