Sheath floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점
2008.10.26 11:30
안녕하십니까? 반도체 제조업에 종사하는 엔지니어입니다.
플라즈마 기초 토픽들을 공부하던 중 이해가 안가는 부분이 있어서 이렇게 문의드립니다.
플라즈마에 isolated (floating) substrate 를 넣었을 때, 전자와 이온이 각각 nv/4 의 flux 로
입사하고, 속도가 더 빠른 전자가 먼저 기판을 charging 시켜서 sheath 형성의 발판을
마련한다고 여러 책들에 소개되고 있는데요,
전자나 이온이 왜 기판에 capture 가 될까요? 초기에 기판은 중성이 아닌가요?
그냥 튕겨나가지 않고 왜 기판을 charging 시키는 지 이해가 되지를 않습니다. 이것을 설명할
수 있는 화학적, 혹은 전기적인 해석이 가능할까요?
답변 부탁드립니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76819 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20247 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57191 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92578 |
36 | 이온주입량에 대한 문의 | 20737 |
35 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20971 |
34 | 플라즈마란? | 21058 |
33 | 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] | 21333 |
32 | 플라즈마 실험 | 21347 |
31 | Breakdown에 대해 | 21377 |
30 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21399 |
29 | manetically enhanced plasmas | 21661 |
28 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21902 |
27 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 22003 |
26 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22161 |
» | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22855 |
24 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23138 |
23 | DC glow discharge | 23256 |
22 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23450 |
21 | 플라즈마 쉬스 | 23943 |
20 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23979 |
19 | self Bias voltage | 24061 |
18 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
17 | plasma와 arc의 차이는? | 24721 |