ICP 공정플라즈마

2019.10.27 18:33

sungsustation 조회 수:1171

교수님 안녕하세요. 플라즈마 공부하고 있는 학부생인데 기초가 많이 부족해서 질문드립니다.


1. 공정플라즈마에서 전자 온도가 이온, 중성기체의 온도 보다 매우 높은 이유는 무엇인지 궁금합니다.


2. 플라즈마에 유체방정식이 무엇이고 각 항의 의미가 어떻게 되는 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77253
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20471
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57382
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68907
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92959
567 Plasma Arching [1] 1098
566 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1108
565 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1110
564 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1122
563 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1140
562 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1143
561 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1148
560 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1151
559 자기 거울에 관하여 1152
558 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1154
557 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1155
556 Group Delay 문의드립니다. [1] 1161
555 wafer bias [1] 1161
554 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1167
» 공정플라즈마 [1] 1171
552 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1173
551 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1174
550 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1179
549 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1180
548 전자 온도 구하기 [1] file 1181

Boards


XE Login