ICP ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!!

2021.03.01 21:54

sawo325 조회 수:1388

안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77070
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20386
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57294
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68840
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92843
541 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1200
540 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1211
539 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1216
538 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1231
537 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1238
536 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1248
535 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1257
534 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1257
533 플라즈마 챔버 [2] 1270
532 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1275
531 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1278
530 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1287
529 플라즈마 기초입니다 [1] 1296
528 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1311
527 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1316
526 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1321
525 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1333
524 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1335
523 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1338
522 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1341
쓰기
태그

Boards

XE Login