RPSC(Remote Plasma Source Cleaning) 시 Pressure, Throttle Valve Position 관계에 대해 질문드립니다.

 

■ 목적

: PECVD Chamber를 주기적으로 SiNx 박막을 RPSC(NF3 사용)로 세정을 하는데, 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키고자 합니다.

 

■ 현상

: 저희 설비는 ① 압력을 고정(=Throttle Valve가 움직임)시키거나 ② Throttle Valve를 고정(=압력 변함)시키는 두 가지 방법 중 하나를 택합니다. 기존에는 Throttle Valve를 절반 정도 오픈되게 고정하고 RPSC를 진행합니다. 이때, RPSC 시간에 따른 압력 곡선은 하기와 같습니다.

제목 없음.png

반응식 : NF3 + SiNx → SiF4

 

RPSC 초기에는 SiNx + NF3이 폭발적으로 일어나는 초기에는 압력이 증가합니다. 이는 NF3와 SiNx 간 반응으로 SiF4가 형성되는 화학반응이 부피가 팽창하는 것으로 보입니다.

 

상기 곡선에서 Throttle Valve는 상시 Half Open입니다.

 

다음은 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키기 위한 세 가지 방안입니다.

 

 

■ 세정 효율 개선 방안(세정 시간 단축)

 

① RPSC 초기 Throttle Valve Full Open → RPSC 후기 Throttle Valve Half Open

RPSC 초기엔 폭발적인 반응으로 SiF4가 형성되는 데, 압력이 높아진다는 건 생성물(SiF4) 농도가 높음을 의미한다. 따라서 반응 초기에 Throttle Valve를 Full Open하여 SiF4를 배출시키면 NF3에 의한 세정 작용이 활발해질 것이다.

 

② RPSC 초기 Throttle Valve Half Open → RPSC 후기 Throttle Valve Full Open

RPSC 초기부터 Throttle Valve를 Full Open하면 생성물(SiF4)가 빠르게 제거되겠지만, 반응물(NF3)의 챔버 내 잔류시간이 줄어드므로 되려 효율이 낮아질 수 있다. 다만 압력이 Peak가 되는 시점에서 생성물(SiF4)의 농도가 높은 건 좋지 않으므로, RPSC 후기부터 Throttle Valve를 Full Open하여 RPSC 후기의 반응물(NF3) 농도를 높여 세정 효율을 높인다.

 

③ Throttle Valve를 고정하지 않고 압력을 고정

 

상기처럼 세 가지 방안 중 고민하고 있습니다. 세 가지 방안 중에서 적절해보이는 방안이나 그 밖에 제안해주실 수 있는 방안이 있으시면 조언 부탁드립니다.

 

항상 자세한 답변에 감사드립니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102862
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24688
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61417
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73479
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105832
573 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1432
572 대학원 진학 질문 있습니다. [전공 설계] [2] 1435
571 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1436
570 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1440
569 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1441
568 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [플라즈마 공간 분포 진단] [1] 1444
567 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [DBD] [1] 1444
566 RF 반사파와 이물과의 관계 [Physical/chemical cleaning] [1] 1456
565 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어] [1] 1459
564 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance] [2] 1460
563 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1461
562 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating] [1] 1466
561 공정플라즈마 [플라즈마 입자 거동 및 유체 방정식] [1] 1468
560 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [PMI] [2] 1470
559 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [플라즈마 밀도 및 전위 제어] [1] 1484
558 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1498
557 플라즈마 기초입니다 [Breakdown과 electrolysis] [1] 1510
556 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속] [1] 1525
555 ICP VIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [Plasma breakdown 및 생성] [1] file 1526
554 wafer bias [Self bias] [1] 1530

Boards


XE Login