OES EEDF, IEDF, Cross section관련 질문
2019.07.09 11:28
안녕하십니까? 에쳐장비 현업에 종사하고 있습니다.
OES를 통해서 EEDF를 어떻게 그래프화 할 수 있느지 궁금합니다.
일단 분광기를 통해서 받아들인 파장에 따른 강도의 Law data를 가지고 어떤식으로 구하는지요?
제 생각에는 기존의 에너지 분포함수등을 참고하여, 모델링 할것으로 판단이 되는데....구체적인 개념적 방법을 알고 싶습니다.
그리고, IEDF도 OES를 통해서 구할수 있는지요? 플라즈마 상태에서 전자와 이온전류의 Net Current가 0임을 전제로 하여, 구할수도 있을 듯한데....개념적인 설명 부탁드립니다.
추가적으로 공정 라티칼 Cross Section관련, 이 부분은 플라즈마 내부 물리적 충돌로 인한 영향과 화확적 반응 정도를 파악하기 위해 보는 상수나 그래프라 추정합니다....충돌단면적을 구하는 방법또한 궁금합니다.
바쁘시겠지만, 추천해주실 논문이나, 개념적이나 간단한 수학적 설명 부탁드립니다.
(상기 관련 다양한 접근방법이나 방식이 있겠지만, 레퍼로 참고할 수 있는 방식 부탁드립니다.)
본 사이트를 통해 다양한 정보와 지식을 공유하고 생각하는데에 대해 항상 감사하게 생각하고 있습니다.
참고 문헌으로 '플라즈마 일렉트로닉스(교학사) 2장', Plasma electronics-application in microelectronics device fabrication' (CRC Press),
아울러 cross section 에 대해서는 Principles of plasma discharges and material processing (2nd ed. M.A. Lieberman and A.J. Lichtenberg) 참 좋습니다.
그리고 OES line ratio 방법을 이용한 플라즈마 열평형상태 해석 논문으로는 John B. Boffard 교수 논문 (예: J. Phys. D: Appl. Phys. 45 (2012) 045201 등)과 해석 방법에 있어서는 X.M. Zhu의 논문 (예: Plasma Sci. Source. Technol. 21 (2012) 024003) 추천합니다. EEDF 해석 건은 S.H. Park, J. of Korean Phys. Soc. 64 (2014) 1819)과 H.J. Roh, J. Phys. D: Appl. Phys 50 (2017) 225201) 논문 참고하세요.
해당 방법은 plasma-spectroscopy 분야에서 많이 연구되고 있으니 플라즈마 분광학 분야의 keyword로 자료가 많이 있을 것입니다. 아울러 반도체 디스플레이 쪽에서는 공정진단 분야의 센서, 가상계측, FDC 등의 기반 기술로 연구가 활발하게 이뤄지고 있습니다.