안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77278
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68923
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92983
528 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1323
527 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1328
526 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1330
525 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1343
524 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1349
523 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1351
522 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1372
521 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1372
520 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1375
519 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1378
518 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1378
517 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1399
516 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1400
515 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1404
514 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1410
513 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1414
512 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1419
511 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1425
» 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1433
509 플라즈마 관련 교육 [1] 1438

Boards


XE Login