Plasma in general RF 전압과 압력의 영향?
2021.12.06 14:03
안녕하세요 교수님. 항상 친절한 답변 감사드립니다.
회사를 다니면서 공부를 하다보니 제가 부족한 부분이 많아 자꾸 찾아뵙게 되네요.
현재 염근영 교수님의 '플라즈마 식각기술' 이라는 책을 공부하고 있는데요.
읽다보니 간단한것 같은데 이유를 모르겠는게 있어서 문의 드립니다.
Pressure가 공정에 미치는 영향 중에 압력이 낮아지면 rf voltage가 높아진다고 나와있는데 그 이유가 궁금합니다.
그리고 이 전압이라함은 플라즈마와 전극 사이의 전압을 말하는건가요?
제가 전기쪽으로는 지식이 많이 부족해서 헷갈립니다 ㅜㅜ
감사합니다!
DC glow 방전 및 파션의 법칙을 공부해 보세요. 전기적 지식은 전기장을 따라 하전입자는 가속됩니다 여기서 전기장은 전위차 / 전극의 간격으로 정의됩니다.
DC 전기장과 RF 전기장은 서로 다른 메카니즘을 갖는데, 전극에 RF 전위가 걸리는 경우 전극 사이에는 전기장이 형성됩니다. 또한 자기장의 시간 변화 (자속의 시간 변화)의 주변을 따라서 전기력이 만들어지는 유도 기전력 (전기장)이 만들어지는 2가지 경우가 있습니다.
앞의 경우를 CCP 모드, 즉 전극 수직 방향의 전기장이 전자(하전 입자)를 가속시키는 구조이며, 후자를 ICP 즉 유도 기전력을 써서 원통방향으로 전기장을 형성시켜 전자를 가속시켜 플라즈마 생성하는 방법을 의미합니다. (따라서 CCP 혹은 ICP 등의 플라즈마 발생 장치에 대해 게시판에 소개가 되어 있으니 참고하시기 바랍니다)
마지막으로 플라즈마와 전극 간의 전압 차이가 만들어지고 여기서 간격은 쉬스 크기가 됩니다. 따라서 이 경우 전기장은 쉬스 전기장이 맞고, 이는 플라즈마 이온을 가속시키는 전기장으로서 동작하게 됩니다. 쉬스 혹은 쉬스 전기장이라 기억하시면 좋습니다. (DC 에서는 cathode fall 전위로 생각해도 무방합니다.)