ICP ICP lower power 와 RF bias

2023.01.18 19:04

eehcl12 조회 수:1462

안녕하세요 ICP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있는 학부생입니다. 현재 제가 사용하는 ICP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 라는 파라미터가 존재합니다. 제가 알고 있는 바로는 Upper power는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용도라고 생각을 했고, lower power는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용도라고 생각을 했습니다. 하지만 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문을 드립니다.

또한 절연체 층을 식각할 때는 RF bias를 가하고, 메탈 층을 식각할 때는 RF bias를 가하지 않는데 어떤 이유인지 궁금합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
517 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1362
516 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1364
515 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1370
514 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1374
513 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1379
512 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1387
511 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1393
510 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1398
509 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1402
508 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1406
507 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1411
506 플라즈마 관련 교육 [1] 1414
505 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1424
504 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1425
503 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1436
502 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1436
501 MATCHER 발열 문제 [3] 1437
500 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1440
499 Ar plasma power/time [1] 1441
498 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1446

Boards


XE Login