Monitoring Method Plasma 발생영역에 관한 질문
2018.10.16 16:20
Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.
플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.
플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데
질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요?
질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76873 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20273 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92694 |
| 497 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1453 |
| » | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1459 |
| 495 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1463 |
| 494 | 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] | 1466 |
| 493 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1467 |
| 492 | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1468 |
| 491 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1468 |
| 490 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1469 |
| 489 | 알고싶습니다 [1] | 1470 |
| 488 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1471 |
| 487 | charge effect에 대해 [2] | 1476 |
| 486 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 1509 |
| 485 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1522 |
| 484 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1525 |
| 483 | IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] | 1534 |
| 482 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1536 |
| 481 | Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] | 1543 |
| 480 | plasma 형성 관계 [1] | 1549 |
| 479 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1568 |
| 478 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1608 |
먼저 sheath 의 형성 과정을 이해하면 대부분 해결이 될 것입니다. 쉬스에 대해서는 본 게시판에서 상세하게 여러번 다뤘으니 참고하십시오. 아울러 모티터링에 대해서는 정의가 필요합니다. 아울러 monitoring 과 diagnostics 의 차이를 생각해 보시고, 모두 진단으로 해석이 가능해서 혼선이 있을 수 있으나, 진단계 (장치)와 진단대상의 물성이 잘 결합되어야 해석이 용이합니다. 따라서 플라즈마 쉬스를 잘 이해하는 것이 모니터링의 첫 단추를 끼우는 일이 되겠습니다. 그 후에 다음 문제를 고려해야 풀릴 것 같습니다. 현재 저희는 여러가지 방법으로 쉬스 특성을 모니터링하고는 있습니다만, 아직 현장에 투입한 경험은 없군요. 이 분야를 플라즈마 공정진단 이라 합니다.