Monitoring Method Wafer particle 성분 분석
2019.03.26 06:46
안녕하세요.
반도체업계 종사자인 이우림이라고 합니다
다름이 아니라 300mm wafer위에 파티클 오염 분석을 진행중인데요.
혹시 300mm wafer를 coupon이 아닌 full wafer 상태로 삽입하여 wafer위의 파티클 성분 분석이 가능한 장비를 보유한 연구소를 알고 계신지요?
향후 분석에 꼭 필요한데 해당 장비 보유한 연구소를 찾지 못하는 상황입니다.
혹은 장비 관련 정보라도 알려주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76858 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20263 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68749 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92629 |
| 437 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2009 |
| 436 | chamber impedance [1] | 2014 |
| 435 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2023 |
| 434 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2062 |
| 433 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2065 |
| 432 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2068 |
| 431 | ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] | 2077 |
| 430 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2138 |
| 429 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2149 |
| 428 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2178 |
| 427 | Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] | 2242 |
| 426 |
플라즈마볼 제작시
[1]  | 2248 |
| 425 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2249 |
| 424 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2258 |
| 423 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2264 |
| 422 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2272 |
| 421 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2285 |
| 420 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2286 |
| 419 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2289 |
| 418 | sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] | 2324 |