Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.

2004.06.25 16:44

관리자 조회 수:20483 추천:319

te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.

  저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
  dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.

  저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76869
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
163 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 406
162 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 410
161 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 424
160 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 472
159 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 488
158 PECVD Uniformity [1] 543
157 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 548
156 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 557
155 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 563
154 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 612
153 RF Sputtering Target Issue [2] file 612
152 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 619
151 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 622
150 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 623
149 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 637
148 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 672
147 Polymer Temp Etch [1] 673
146 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 695
145 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 705
144 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 723
쓰기
태그

Boards

XE Login