ICP ICP에서의 Self bias 효과
2024.03.28 01:49
안녕하세요, 전자공학과 3학년 학부생입니다.
최근 DC&RF glow discharge, Sheath, self bias 등에 대해 공부했는데, 대부분의 예시가 두개의 평행한 전극을 가진 CCP type으로 국한되어 있어, ICP 에 적용하여 생각하는 데 조금 헷갈리는 부분이 있어 질문 드립니다.
1. 찾아본 논문에 따르면 RF bias power를 인가할 수 있는 ICP-RIE system에서도 self bias 효과가 나타나는데, 접지로 연결된 반응기 자체가 또 다른 전극의 역할을 수행하는 것인가요?
2. 또한 CCP에서는 Self bias로 인해 극대화된 Sheath와, Sheath의 oscillation으로 인해 전자가 가속되고 플라즈마가 형성 및 유지되는 메커니즘으로 알고있는데, ICP-RIE의 Self bias 효과는 단지 이온 에너지 조절 측면에서 의미를 가지는 것이 맞을까요?
3. ICP에서 반응기가 접지로 연결된 경우, 전위가 0으로 고정되어 챔버 벽면의 Sheath에서는 oscillation이 발생하지 않는 것이 맞는지도 궁금합니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76918 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20305 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57224 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68773 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92750 |
780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 126 |
779 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 140 |
778 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 143 |
777 | Microwave & RF Plasma [1] | 145 |
776 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 147 |
775 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 155 |
774 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 160 |
773 | corona model에 대한 질문입니다. [1] | 172 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 173 |
771 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 174 |
770 | skin depth에 대한 이해 [1] | 180 |
769 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 189 |
768 | 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] | 192 |
767 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 194 |
766 | 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [2] | 197 |
765 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 205 |
» | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 206 |
763 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 209 |
762 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 212 |
761 | 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] | 217 |