안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.

ICP-RIE system에서 전극의 RF bias에 따른 플라즈마 밀도 변화가 궁금해져 이에 대한 논문을 찾아보던 중, 글로벌 유체 모델에 의해 안테나 코일/전극에 인가된 전력에 비례하고, 소실된 에너지에 반비례한다는 내용을 찾았습니다.

여기서 소실된 에너지는 "1. 전자가 충돌로 잃는 에너지. 2. 이온의 wall 폭격 에너지 3. wall로 나가는 전자의 운동에너지"의 세개의 텀으로 구분되었습니다.

 

아직 플라즈마에 대한 지식이 얕아 기본적인 용어에서도 헷갈리는 부분이 있습니다.

이온 충돌 에너지는 플라즈마 전위&전극의 self bias 전위의 차에 비례하는 것으로 알고 있는데, 그렇다면 상기의 wall=electrode인 것인가요?

그렇다면, "3"은 쉬스를 극복하고, 음전위의 전극을 통해 빠져나가는 전자의 운동에너지를 의미하는 것이 맞는지 여쭤보고 싶습니다.

 

같은 원리로 CCP의 경우, 전자가 Anode 뿐만 아니라, 충분한 운동에너지를 가지고 Cathode에 도달하여 이를 통해 빠져나갈 수 있을까요? 

양이온의 경우 Cathode와 충돌 후 소수의 이온만이 재결합된다고 알고 있는데, 그렇다면 일부 양이온은 cathode를 통해 빠져나갈 수 있나요? 

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76872
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
777 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 139
776 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 140
775 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 149
774 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 155
773 ICP에서 전자의 가속 [1] 161
772 skin depth에 대한 이해 [1] 169
771 corona model에 대한 질문입니다. [1] 170
770 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 173
769 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 185
768 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 186
767 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 186
766 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 187
765 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 191
764 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 191
763 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 204
762 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 205
761 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 214
760 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 219
759 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 220
758 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225

Boards


XE Login