안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어입니다.

 

N2, Ar Plasma 를 사용하여 미세 Pattern Pad 표면 세정을 하려고 합니다.

 

세정물 오염원은 C, Si 등을 포함한 성분인데요.

 

N2 와 Ar 중 어떤게 더 효과적일지 궁금합니다. ( 사용 원소에 따른 플라즈마 처리 세기의 차이가 있을거 같은데.. )

 

자료를 찾다보니 아래와 같이 기술된 것도 있던데 맞나요??

- 사용 기체로 산소 및 질소를 사용하였을 경우 아르곤을 사용한 플라즈마 처리 시 보다 에칭 효과 우수

- 산소 사용 시 질소 사용보다 표면 에칭 효과 우수

※ 표면 에칭: 아르곤 < 질소 < 산소

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102774
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24678
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61397
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73463
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105804
413 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2836
412 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [최적 정합 조건 및 정합 시간] [2] 2878
411 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2881
410 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2902
409 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2906
408 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [대기압 플라즈마와 라디컬 생성] [1] 2923
407 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2925
406 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2927
405 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2935
404 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2954
403 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [충돌 반응 및 전력 전달 모델] [1] 2959
402 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2964
401 질문있습니다. [전자 에너지 분포함수 및 Maxwell 분포] [1] 2974
400 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3006
399 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 3034
398 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3052
397 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3096
396 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3146
395 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3169
394 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 3195

Boards


XE Login