안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.


icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.


또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.


답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76739
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20207
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68703
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92294
349 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3807
348 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3910
347 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3927
346 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3956
345 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
344 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4011
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4149
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4180
340 플라즈마 색 관찰 [1] 4260
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4273
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4322
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4486
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4810
335 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4943
334 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5069
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5152
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5272
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5455
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5534

Boards


XE Login