안녕하세요, 의료기기 회사에 재직중인 회사원입니다.

 

최근 사내 내부학습 개념으로 패럴린과 같은 고분자화합물 과 플라즈마 표면처리, 에칭 등의 공부를 하고 있습니다.

스스로나 주변에도 해당 지식이 없는 사람들 뿐이라 인터넷으로 겨우겨우 찾아보며 알아가는 실정입니다.

 

질문드리고자 하는 내용은 에칭과 표면처리에 대한 차이점 입니다.

 

먼저 제가 이해하고 있기로는

표면처리는 보드기판이나 어떠한 물질에 고분자화합물을 코팅하게 되면 증착이 잘 되지 않으므로

플라즈마를 이용해 표면처리(활성화) 를 한 뒤 코팅을 하여 증착력을 높히는 것 과

에칭은 증착된 코팅물질을 없애는 방법 이라고 이해 했습니다.

 

헌데 표면처리 라는 것도 보드의 표면에 있는 이물질이나 원자? 등을 제거하는 것이라고도 생각이 되는데

그렇다면 표면처리를 오래 한다거나 강하게 하면 그것이 에칭이 되는것인가요?

표면처리에 사용되는 제품은 에칭으로는 사용을 못하는 것인가요?

 

질문의 수준이 매우 낮을지도 모르겠네요... 이해 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76740
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20211
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68704
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92297
349 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3808
348 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3910
347 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3927
346 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3957
345 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
344 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4011
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4149
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4180
340 플라즈마 색 관찰 [1] 4261
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4274
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4322
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4486
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4810
335 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4945
334 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5069
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5153
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5272
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5455
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5534

Boards


XE Login