Deposition 플라즈마 색 관찰

2018.05.08 14:21

우인범 조회 수:4259

안녕하세요, 반도체분야로 취업하려는 취업준비생입니다.


얼마전에 공정실습을 다녀왔었는데요. SiO2 를 PECVD로 증착하는 과정에서 플라즈마 관찰을 했었습니다. process gas로 N2O를 SiH4보다 많이 투입했음에도 불구하고 SiH4의 플라즈마 색이 관찰된 것에 대해서 이유를 분석해보라는 문제를 주셨습니다. 


당시에는 두 가스의 플라즈마 색이 갖는 파장이 합성됐을 때 푸리에와 관련해서 나온 현상이라고 이해했었는데, 다시생각해보니 정확한 정리가 잘 되지 않았습니다.


이 현상에 대해서 피드백을 받을 수 있을까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76738
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92284
349 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3807
348 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3910
347 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3927
346 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3956
345 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
344 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4011
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4149
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4180
» 플라즈마 색 관찰 [1] 4259
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4273
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4322
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4486
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4809
335 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4941
334 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5069
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5152
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5271
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5455
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5534

Boards


XE Login