ATM Plasma 상압 플라즈마에 관하여 문의 드립니다.

2012.08.01 13:40

케빈 조회 수:8184

안녕하세요

상압 플라즈마와 관련하여 몇가지 문의 드릴려고 합니다.

1. 헬륨 가스를 이용하여 상압 플라즈마를 발생 시켰을때, 헬륨 이온이 생성 될때 발생하는

    전자로 인하여 공기중의 다른 원소들이 이온화 된다고 알고 있습니다. 그럼 이온화된

    헬륨은 인체 또는 공기에 어떤 영향을 끼치는지 문의 드립니다.

 

2. 텅스텐을 세라믹으로 감싼 전극과 아노다이징 된 알루미늄 사이(0.5mm)에 물 미립자를 통과 시켜서

    -OH 라디칼 이온을 만들려고 했는데, 오존이 종종 발생 됩니다. 전극에서 전달된 에너지가

    -OH 라디칼 이온과 오존 중 어떤 걸 먼저 만들어 내는지 알 수 있을까 해서요..

 

우선은 두가지 문의 드립니다.

제 이메일 주소는 vngkgk11@gmail.com 입니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20848
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93633
339 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4431
338 플라즈마 색 관찰 [1] 4455
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4771
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4966
335 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5205
334 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5314
333 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5576
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5587
331 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5640
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5716
329 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5783
328 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5923
327 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5991
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 6035
325 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6114
324 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6177
323 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6196
322 자료 요청드립니다. [1] 6226
321 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6380
320 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6394
쓰기
태그

Boards

XE Login