Others 냉각수에 의한 Power Leak

2004.06.21 15:25

관리자 조회 수:14447 추천:284

질문 ::

안녕하십니까?
반도체 에칭용 ICP 소스에서
소스파워를 최대 4000 와트 바이어스를 2500와트 정도 걸면서 테스트를
진행하고 있습니다.
진행하던중
ICP Type의 플라즈마 소스에서 전력손실에 대해 생각을 하고 있습니다.
간접적 증거로 소스파워를 아무리 올려도 (to 4kWatts) 에칭특성에
별영향을 주지 않는 것같습니다.
그래서 생각해본것이 어느 시점을 지나면 전력이 외부로 새어나가
플라즈마를 형성하는 데 그리 영향을 주지 못하는 것 같습니다.
생각해본 leak소스로는
1) 냉각수
2) 체임버 월(대부분 아노다이징)
3) ESC 아래의 공정이 진행되지 않는 공간
그러나 무엇하나 명쾌한 결론은 아직 없습니다.


답변 ::

상황이 복합적으로 작용하고 있을 가능성이 있습니다.
일단 플라즈마 밀도를 측정할 수 있으면 좋을 것입니다.
즉 입력 전력 대비 플라즈마 밀도와 플라즈마 온도에 대한 자료를 얻을 수 있으면 문제를 좀더 이해하면서
풀 수 있을 것 같습니다.  
예상하건대, 어느 정도의 입력 전력의 조건에서는 플라즈마 밀도가 상승하게 될 것 입니다.
하지만 일정 값 이상으로 무한히 밀도가 상승할 수는 없으며 그 이후에는 오히려 플라즈마의 온도 상승에 입력
에너지가 사용될 가능성도 있습니다.

물론 냉각수로는 증류수를 사용하는 것이 좋을 것이고
예상하신 2-3번의 가능성에 대해서는 저희도 경험이 없습니다.

좀더 자료를 얻게 되시면 다시 의견을 주시기 바랍니다.
감사합니다.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
277 ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9872
276 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 10005
275 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10317
274 Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] 10374
273 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10385
272 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10420
271 RGA에 대해서 10550
270 DC bias (Self bias) [3] 11297
269 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11457
268 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11474
267 플라즈마 살균 방식 [2] 11481
266 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. 12364
265 ICP와 CCP의 차이 [3] 12526
264 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12769
263 반응기의 면적에 대한 질문 12812
262 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13065
261 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. 13206
260 플라즈마의 상태 14081
259 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 14144
» 냉각수에 의한 Power Leak 14447

Boards


XE Login