현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.

 

현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.

 

무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.

 

1. Source , Bia Power 하향

  → Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)

2. CF4 유량비 상향

  → O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다

     (But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)

3. 압력에 대한영향성?

  → 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..

4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.

 

이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.

 

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24676
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61390
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73459
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105794
793 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [Sheath energy] [1] 450
792 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 458
791 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 459
790 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [대기압 환경 플라즈마와 라디컬 분포] [1] 467
789 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [Pachen's law 이해] [1] 469
788 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 472
787 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [Impedance matching 이해] [1] 474
786 대기압 플라즈마 문의드립니다 [플라즈마 전원 이해] [1] 475
785 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 475
784 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 480
783 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 483
782 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해] [1] 494
781 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [Rise rate] [1] 521
780 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 534
779 chamber에 인가되는 forward power 관련 문의 [송전선로 모델 및 전원의 특성] [1] 544
778 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 551
777 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [전자 충돌 현상 및 입자 충돌 현상] [1] 553
776 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 558
775 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 561
774 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [플라즈마 확산과 밀도 분포] [1] 562

Boards


XE Login