안녕하세요. 플라즈마 관련 실험을 하고 있는 학생입니다.

ICP 시스템에서 전자밀도 크기에 대해 질문드리고자 합니다.

 

Ar, N2, O2 가스환경에서 ICP 시스템을 통해 플라즈마를 발생시키고, electron density (plasma density)를 측정하였습니다.

동일한 실험조건을 기준으로 (RF power 조건 포함), 

electron density는 Ar > O2 > N2 순임을 실험적으로 확인하였습니다. 

여기서 저는 왜 electron density가 상기와 같은 순서로 발생되는 것인지 궁금하였습니다.

 

첫번째로, Ar 은 10^12 cm-3 정도이나, O2, N2는 10^11 cm-3 정도로 측정되었습니다.

제가 사용한 공정가스는 원자형태의 가스(Ar)와 분자형태의 가스(O2, N2) 입니다.

분자형태의 가스에서는 가속된 전자가 분자사이의 결합을 끊는 dissociation 반응이 발생하고, 이에 따라 energy loss가 발생하여 

실제 플라즈마 반응에 들어가는 에너지는 원자형태의 가스에서보다 작아져 electron density가 낮아지는 것으로 이해하면 될지요?

 

두번째로, O2 에서 electron density는 N2 보다 높게 측정되었습니다.

이는 bonding energy 가 N2(941 kJ/mol)가 O2(495 kJ/mol) 보다 높고, 이온화에너지 또한 N2가 O2 보다 높아

동일한 조건에서 플라즈마를 발생시키더라도 n2 에서 energy loss 가 많이 발생하여 electron density 가 낮아지게 되는 것인지요?

 

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [267] 76710
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57163
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68685
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92246
748 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 290
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 306
746 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 310
745 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 314
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 314
743 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 317
742 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 319
741 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 328
740 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 341
739 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 343
738 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 347
737 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 350
736 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
735 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 354
734 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 356
733 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 364
732 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 373
731 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 373
730 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 386
729 plasma modeling 관련 질문 [1] 387

Boards


XE Login