이전 질문글에 댓글이 달리지 않아 새로 글을 작성하게 되었습니다.

 

이전 질문 글의 어디가 틀렸고 어디가 맞았는지 꼼꼼하게 짚어주셔서 정말 감사드립니다.
답변해 주신 글을 읽다 보니 더 질문점이 생겨서 댓글 작성합니다.

 

 

1) 비충돌성 쉬스와 충돌성 쉬스를 구분하는 기준은 무엇인가요? 

 

- MFP(Lamda)와 CCP 반응기 두 극판 사이의 거리(l) 비교 : Lamda << l
- MFP(Lamda)와 쉬스 두께 비교 : Lamda << Sheath Thickness

 

 

 

2) 이전 질문글의 답변에 Ar의 MFP를 0.01~0.005 mm 라고 답변해 주셨는데 어떻게 계산 된건지 궁금합니다.


MFP(Lamda)를 구하는 공식을 다음과 같이 알고 있습니다.

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma)
N_g = (n * N_A) / V = P * N_A / (R * T)

 

N_g : 단위 부피 당 원자 수
Sigma : Ar의 Cross section
n : 몰 수
N_A : 아보가드로 수
V : 부피
P : 압력 = 2000 mTorr
R : 기체상수 = 62.363 m^3*mTorr/(K*mol)
T : 온도 = 673 K

 

위 값들을 대입하여

 

N_g = 2.87*10^22 m^-3

 

이 나왔습니다.

 

2T 및 5T의 공정에서 Vrms는 113ev 수준으로 비슷했고 따라서

 

http://plasma.kisti.re.kr/index.jsp 에서 Ar의 Total Ionization Cross section, Total Scattering Cross section 중 에너지가 110ev 즈음의 산란 단면적을 찾아봤습니다.

 

Ionization 2.5*10^-16 cm^2 = 2.5*10^-20 m^2
Scattering 8*10^-16 cm^2 = 8*10^-20 m^2
Excitation 0.7*10^-16 cm^2 = 0.7*10^-20 m^2

 

위 산란 단면적을 모두 합하여 Sigma 값을 구했고 이 값을 아래 식에 대입하니

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma) = 0.00031 m = 0.31 mm

 

0.31 mm이 나오게 됩니다.

 

이전 질문 글에서 Vrms의 정량적인 값이 제시되지 않아 산란 단면적이 최대가 되는 값을 대입하셨나 싶어

전자 에너지 15ev의 산란 단면적을 모두 더하여 계산하니 2Torr 기준 0.145 mm 였습니다.

상기 계산 중 어느 부분에 오류가 있는건가요?

 

항상 큰 도움 주셔서 감사드립니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102650
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24664
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61366
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73446
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105756
793 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [Sheath energy] [1] 449
792 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 457
791 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 458
790 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [대기압 환경 플라즈마와 라디컬 분포] [1] 467
789 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [Pachen's law 이해] [1] 469
788 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [Impedance matching 이해] [1] 470
787 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 472
786 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 472
785 대기압 플라즈마 문의드립니다 [플라즈마 전원 이해] [1] 475
784 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 476
783 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 483
782 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해] [1] 492
781 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [Rise rate] [1] 520
780 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 530
779 chamber에 인가되는 forward power 관련 문의 [송전선로 모델 및 전원의 특성] [1] 544
778 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 549
777 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 550
776 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [전자 충돌 현상 및 입자 충돌 현상] [1] 552
775 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 558
774 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [플라즈마 확산과 밀도 분포] [1] 562

Boards


XE Login