안녕하세요 스퍼터링 공부중인 학생입니다.

실험으로 스퍼터김운용 중 기타 변수들을 동일하게 하고 Ar20 sccm고정 02 를 2,4,6 조절하며 두께 및 저항값을 측정하고 있습니다.

 o2양이 증가함에 따라 deposition rate가 감소하여 동일시간 증착시 더  증착되고 저항값도 커지는걸로 알고 있습니다만 제가 알고 있는 것이 맞을까요?

또한 4point prboe 측정시 2sccm 은 면저항이  5.6 옴정도로 측정되고 4sccm은 평균 400옴정도로 측정되는데 정상인지 여쭤보고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77279
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68924
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92983
768 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 216
767 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 219
766 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 226
765 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 230
764 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 232
763 skin depth에 대한 이해 [1] 232
762 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 238
761 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 252
760 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 255
759 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 263
758 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 266
757 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 274
756 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 275
755 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 280
» gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 286
753 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 292
752 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 297
751 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 305
750 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 315
749 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 328

Boards


XE Login