Others 플라즈마 밀도와 라디칼

2024.03.13 13:45

김준서 조회 수:379

안녕하세요, 플라즈마에 대해 공부중인 3학년 학부생입니다.

 

플라즈마 밀도는 탐침을 통해 전자의 밀도를 측정함으로써 계산한다고 알고 있습니다.

플라즈마는 준준성이므로, 사실상 이는 이온의 밀도와도 거의 비슷할 것으로 생각합니다.

그렇다면 라디칼의 밀도 또한 플라즈마 밀도와 비례하는 것이 맞나요?

 

전자&이온 밀도 증가<-비탄성 충돌을 일으킬만한 에너지를 가진(가속된) 전자가 충분하며, gas의 몰(mole)수도 충분함

<-따라서 라디칼의 생성 확률도 높음

 

추가적으로, Pressure가 플라즈마 밀도에 끼치는 영향이 궁금한데,

인터넷에서는 압력이 증가하면 기체 몰수가 증가하므로 그만큼 이온&라디칼이 많아진다고 설명하는 글이 많았습니다.

하지만 흔히 알려진 파셴법칙과 연결해서 생각해보면, 압력이 증가할수록 MFP 또한 짧아지기 때문에 그만큼 전자가 충분히 가속되지 못할 가능성이 있다고 생각합니다. 따라서 최대한의 플라즈마 밀도 구현을 위해서는 적절한 Pressure을 설정해 주어야한다고 생각하는데, 해당 분석이 맞을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77279
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68924
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92983
768 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 216
767 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 219
766 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 226
765 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 230
764 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 232
763 skin depth에 대한 이해 [1] 232
762 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 238
761 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 252
760 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 255
759 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 263
758 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 266
757 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 274
756 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 275
755 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 280
754 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 286
753 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 292
752 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 297
751 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 305
750 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 315
749 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 328

Boards


XE Login