플라즈마 쉬스
플라즈마에서 생기는 쉬스(외장)이 전위차는 플라즈마 경계에서 생깁니다. 따라서 질문하신 내용, 즉 식각 플라즈마 내에서 wafer
stage 위의 wafer가 직접 플라즈마와 만나고 있음으로 이때 쉬스 전위는 wafer와 플라즈마 사이에 형성되는 것입니다. 물론, 만일
wafer를 제거하게 되면 당연히 stage표면과 플라즈마가 만나니 이 두 경계면에서 쉬스가 형성되겠지요. 아울러 stage위에 wafer와
같은 부도체 물체가 놓여 있는 경우 wafer표면에는 self bias에 의해서 전위가 낮아지게 됩니다. (도체에서는 이 같은 현상이 생
기지 않습니다.) 따라서 플라즈마는 wafer 표면의 전위를 자신의 경계면 전위로 생각하고 그 겨예 영역에서 쉬스가 형성됩니다.
질문자의 경우와 같은 식각 플라즈마에서 wafer bias를 인가하여 etching을 하는 경우 이 두가지, self bias와 sheath를 함께 생각
해야 합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76749 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92306 |
90 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22121 |
89 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22126 |
88 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22139 |
87 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22240 |
86 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22543 |
85 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22579 |
84 | Peak RF Voltage의 의미 | 22605 |
83 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22620 |
82 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22699 |
81 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22769 |
80 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22852 |
79 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22943 |
78 | CCP/ICP , E/H mode | 22984 |
77 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23068 |
76 | No. of antenna coil turns for ICP | 23097 |
75 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23127 |
74 | DC glow discharge | 23246 |
73 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23262 |
72 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23333 |
71 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23384 |