Sheath plasma and sheath, 플라즈마 크기
2004.07.02 00:28
질문 ::
sheath가 형성된 부분은 전위가 매우 낮다가 일정영역에서는
높은 전위로 일정하게 유지되는데...
그렇다면 플라즈마내에서 voltalge drop이 있다고 해야하는 건가요??
어디서 어디까지가 플라즈마 형성 영역으로 봐야하는건지
잘 모르겠습니다.
아님 그냥 밀도 차이로 보면 되는건가요??
애매해서 질문드립니다.
답변 ::
플라즈마는 준중성상태를 유지하고 집단행동을 할 정도의 많은 하전입자의 모임입니다. 플라즈마 쉬스는 플라즈마의 경계에서 생기는
플라즈마의 일부분으로 쉬스에서는 플라즈마의 본래
특성인 준 중성상태의 조건을 위배하며 이온이 많고 강한 전기장이 형성되는 영역입니다. 쉬스와 플라즈마 본체 사이에는 플라즈마 온도의 절반에 해당하는 전위차를 갖으며 이 전위차로 부터 이온이 에너지를 받아 쉬스로 입사되게 되는, 즉 이온이 가속되는 영역인 프리 쉬스 (전외장)이 형성되어 있습니다. 프리쉬스 내에서는 플라즈마의 준 중성 상태는 유지됩니다.
따라서 플라즈마 특성이 유지되는 곳으로 플라즈마
크기를 정의한다면 쉬스 영역을 제외하고 생각하는
편이 옳을 수 있습니다. 정확히 이야기 하면 프리 쉬스 (전외장)까지
이겠지요. 하지만, 플라즈마 상태가
유지되는 곳의 그 가장자리에는 늘 쉬스가 형성되어 있음으로
플라즈마와 쉬스를 분리해서 플라즈마 용적을 생각하기는 어렵습니다.
쉬스에 대해서는 여러차례 설명을 했으니 이전 설명을 참고하기 바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76748 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92305 |
90 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22121 |
89 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22126 |
88 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22138 |
87 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22240 |
86 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22543 |
85 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22579 |
84 | Peak RF Voltage의 의미 | 22605 |
83 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22620 |
82 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22699 |
81 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22768 |
80 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22852 |
79 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22943 |
78 | CCP/ICP , E/H mode | 22983 |
77 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23067 |
76 | No. of antenna coil turns for ICP | 23097 |
75 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23127 |
74 | DC glow discharge | 23246 |
73 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23262 |
72 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23333 |
71 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23384 |