Matcher MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까?
2008.10.23 12:22
안녕하세요.
삼성전자 반도체 사업장에서 일하는 DIFF PROCESS ENG'R 입니다.
얼마 전에 사내 PLASMA 강의를 듣고 사이트를 알게 되었습니다.
M.N. (Matching Network) 에서 R.F 인가시 Backword bias 가 걸리는 이유가 알고 싶습니다.
SLEF BIAS 하고 연관이 있는 건지요?
SELF BIAS 가 걸린 것이 Backword bias 처럼 보이는 건지 실질적으로 Backword Bias 가 형성되는 건지 알고 싶습니다.
대학에서 재료공학을 전공해서 전자공학에 대해 무지합니다.
교수님의 답변 기다리겠습니다.
감기 조심하시고 건강하세요...
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76756 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20218 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57170 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68708 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92323 |
90 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22125 |
89 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22129 |
88 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22139 |
87 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22240 |
86 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22543 |
» | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22579 |
84 | Peak RF Voltage의 의미 | 22606 |
83 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22620 |
82 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22700 |
81 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22769 |
80 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22853 |
79 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22943 |
78 | CCP/ICP , E/H mode | 22986 |
77 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23068 |
76 | No. of antenna coil turns for ICP | 23097 |
75 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23127 |
74 | DC glow discharge | 23246 |
73 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23262 |
72 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23333 |
71 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23384 |