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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생
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remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [Remote plasma의 Radical]
[1] | 23590 |
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광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요?
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plasma and sheath, 플라즈마 크기
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플라즈마에 관해 질문 있습니다!!
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N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate]
[2] | 24298 |
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플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias]
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self Bias voltage [Self bias와 mobility]
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Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
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Arcing [아크의 종류와 발생 원인]
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플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절]
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ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도]
[1] | 24964 |
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[질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias]
[3] | 24993 |
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반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
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RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리]
[1] | 25104 |
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스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다..
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H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure]
[1] | 25274 |
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ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model]
[1] | 25336 |
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PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건]
[2] | 25370 |
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Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown]
[1] | 25457 |
