안녕하세요. 삼성전자 반도체 메모리 8/9라인 CVD공정에 배치받은 신입사원 허원석이라고 합니다.
한가지 여쭤 보고 싶은 점이 있어 질문을 드리게 되었습니다.

RF Generator를 쓰는 설비에서 ARC, HT-SIN 등의 공정은 RF reflect power가 일정하게 나오는데 비해 유독 ACL공정을 하는 설비에서만 RF reflect power가 일정하지 않은 이유가 무엇인지 궁금합니다.
주로 RF reflect power가 점차 상승하거나 때로는 하락할 때도 있습니다.
같은 Recipe에서도 RF reflect power 파형이 다르게 나타나는 것을 보면 Recipe문제는 아닌 것 같습니다...
(ACL 공정의 RF reflect power 파형 그래프 첨부하겠습니다.)

또한 이런 이유로 인해 Heater등의 Part에서 불량이 더 나는 것은 아닌지 알고 싶습니다.
가르침을 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78039
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20849
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93635
59 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24693
58 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24749
57 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24806
56 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24818
55 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24957
54 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24972
53 plasma와 arc의 차이는? 25006
52 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 25023
51 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25612
50 충돌단면적에 관하여 [2] 26267
49 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26340
48 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26521
47 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26566
46 self bias (rf 전압 강하) 26836
45 이온과 라디칼의 농도 file 27118
44 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27286
43 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27731
42 DBD란 27831
41 플라즈마 온도 27897
40 탐침법 27959

Boards


XE Login