Others 고온 플라즈마 관련

2012.06.04 11:49

몽돌 조회 수:8090

안녕하세요?

배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,

그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.

혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?

만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을

연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?

빠른 답변이면 감사하겠습니다.
이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76819
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20247
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57191
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92578
123 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1176
122 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1184
121 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1187
120 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1248
119 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1303
118 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1357
117 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1382
116 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1401
115 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1406
114 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1418
113 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1434
112 Ar plasma power/time [1] 1439
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1510
110 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1668
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1741
108 터보펌프 에러관련 [1] 1767
107 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1806
106 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1879
105 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1884
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1965
쓰기
태그

Boards

XE Login