Etch PR wafer seasoning

2018.03.19 10:54

권보경 조회 수:2489

안녕하세요. 반도체 장비업계에 근무하는 권보경입니다.


ICP 타입 O2 플라즈마에서 E/R drop의 이슈가 있었으나

PR wafer로 seasoning 후 회복되면서 일전과 비슷한 수준으로 saturation 되었습니다.


이 원리는 무엇이고 bare wafer seasoning은 효과가 있는지 알고싶습니다.

답변 부탁드립니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [144] 5911
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17362
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53184
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65117
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85209
95 etching에 관한 질문입니다. [1] 1679
94 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1691
93 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1952
92 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1984
91 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1999
90 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2017
89 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2199
88 Plasma etcher particle 원인 [1] 2253
87 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2254
86 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2455
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2461
» PR wafer seasoning [1] 2489
83 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2549
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2758
81 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2779
80 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2861
79 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2983
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3057
77 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3191
76 플라즈마 색 관찰 [1] 3284

Boards


XE Login