공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[303]
| 78037 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20846 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57737 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 69253 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 93631 |
14 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5586 |
13 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 6111 |
12 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 6394 |
11 |
안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 7053 |
10 |
에칭후 particle에서 발생하는 현상
| 9594 |
9 |
ICP와 CCP의 차이
[3] | 12659 |
8 |
ICP 식각에 대하여...
| 16966 |
7 |
안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
[1] | 17788 |
6 |
RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도
| 20459 |
5 |
Dry Etcher 에 대한 교재
[1] | 22590 |
4 |
Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계
[1] | 22872 |
3 |
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23851 |
2 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 24248 |
1 |
DC Bias Vs Self bias
[5] | 31675 |