이전 질문글에 댓글이 달리지 않아 새로 글을 작성하게 되었습니다.

 

이전 질문 글의 어디가 틀렸고 어디가 맞았는지 꼼꼼하게 짚어주셔서 정말 감사드립니다.
답변해 주신 글을 읽다 보니 더 질문점이 생겨서 댓글 작성합니다.

 

 

1) 비충돌성 쉬스와 충돌성 쉬스를 구분하는 기준은 무엇인가요? 

 

- MFP(Lamda)와 CCP 반응기 두 극판 사이의 거리(l) 비교 : Lamda << l
- MFP(Lamda)와 쉬스 두께 비교 : Lamda << Sheath Thickness

 

 

 

2) 이전 질문글의 답변에 Ar의 MFP를 0.01~0.005 mm 라고 답변해 주셨는데 어떻게 계산 된건지 궁금합니다.


MFP(Lamda)를 구하는 공식을 다음과 같이 알고 있습니다.

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma)
N_g = (n * N_A) / V = P * N_A / (R * T)

 

N_g : 단위 부피 당 원자 수
Sigma : Ar의 Cross section
n : 몰 수
N_A : 아보가드로 수
V : 부피
P : 압력 = 2000 mTorr
R : 기체상수 = 62.363 m^3*mTorr/(K*mol)
T : 온도 = 673 K

 

위 값들을 대입하여

 

N_g = 2.87*10^22 m^-3

 

이 나왔습니다.

 

2T 및 5T의 공정에서 Vrms는 113ev 수준으로 비슷했고 따라서

 

http://plasma.kisti.re.kr/index.jsp 에서 Ar의 Total Ionization Cross section, Total Scattering Cross section 중 에너지가 110ev 즈음의 산란 단면적을 찾아봤습니다.

 

Ionization 2.5*10^-16 cm^2 = 2.5*10^-20 m^2
Scattering 8*10^-16 cm^2 = 8*10^-20 m^2
Excitation 0.7*10^-16 cm^2 = 0.7*10^-20 m^2

 

위 산란 단면적을 모두 합하여 Sigma 값을 구했고 이 값을 아래 식에 대입하니

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma) = 0.00031 m = 0.31 mm

 

0.31 mm이 나오게 됩니다.

 

이전 질문 글에서 Vrms의 정량적인 값이 제시되지 않아 산란 단면적이 최대가 되는 값을 대입하셨나 싶어

전자 에너지 15ev의 산란 단면적을 모두 더하여 계산하니 2Torr 기준 0.145 mm 였습니다.

상기 계산 중 어느 부분에 오류가 있는건가요?

 

항상 큰 도움 주셔서 감사드립니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103261
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24706
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61513
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73516
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105933
774 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 567
773 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 568
772 plasma modeling 관련 질문 [Balance equation] [1] 569
771 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [장비 분해 리빌트 및 테스트] [1] 572
770 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [DC breakdown 및 sheath] [1] 578
769 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 587
768 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [OES 진단과 sputter yield] [1] file 589
767 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산] [1] 590
766 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 590
765 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 595
764 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다. [DC 바이어스 전압과 쉬스 전기장] [1] 602
763 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 603
762 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 605
761 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 608
760 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 609
759 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [상압 플라즈마 임피던스, matching] [1] 611
758 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 613
757 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 614
756 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 615
755 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 631

Boards


XE Login