안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로


두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.


첫째는

O2만 넣고 플라즈마 했을 때  / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때

 대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)

그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고

RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해

측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은

기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.


둘째는

플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.


관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.


-플라즈마종사자 드림-

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [88] 2934
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 14145
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50062
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62377
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 80764
560 ICP 후 변색 질문 542
559 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 545
558 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 549
557 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 549
556 Collisional mean free path 문의... [1] 553
555 플라즈마 챔버 [2] 563
554 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 564
553 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 572
552 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 574
551 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 575
550 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 584
549 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 588
548 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 590
547 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 592
546 RF matcher와 particle 관계 [2] 593
545 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 597
544 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 603
543 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 619
542 플라즈마 충격파 질문 [1] 624
541 LF Power에의한 Ion Bombardment [1] 624

Boards


XE Login