Plasma Source Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [Particle 관리]

2020.01.08 19:18

MUF 조회 수:902

안녕하세요?

저는 국내 PKG회사에 다니고 있는 공정 Eng'r입니다.

PKG공정에서 O2 Plasma 처리후 봉지재(Epoxy Mold Compound)를 밀봉하는 공정이 있는데

봉지재내의 Filler가 Si 계면과 분리되고 봉지재의 Resin만 Si 기판에 Molding이 되는 현상이 발생합니다.

Googling을 해 본 결과, Electrostatically charge된 Filler가 Plasma를 맞은 기판과 같은 Charge를 띄었을때 이 증상이 날 수 있다고 합니다.

Plasma별 대전된 극상(+인지, -인지)을 알 수 있을까요?

참고로 저희 회사에서는 O2, N2, Ar을 사용할 수 있습니다. 장비의 Parameter를 변경하여 극성을 바꿀 수 있는지도 문의드립니다.

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