안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.

 

다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.

 

METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.

 

이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..

 

도움 부탁드립니다. 감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76697
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
687 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 543
686 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 544
685 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 546
684 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 550
683 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 550
682 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 558
681 핵융합 질문 [1] 567
680 활성이온 측정 방법 [1] 572
679 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 573
678 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 574
677 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 575
676 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 584
675 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 584
674 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 587
673 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 589
672 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 590
671 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 592
670 RF Sputtering Target Issue [2] file 592
669 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 594
668 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 596

Boards


XE Login