안녕하세요 ETCH 공정에서 ICP DRY ETCH 설비 운용하는 엔지니어입니다. 

 

저희 공정 PROCESS 중 BIAS1(13.56Mhz) / SOURCE를 사용하는 공정 STEP에서 DC BIAS가 일정 TREND를 벗어나 Hunting하는 이슈가 있는데요. 

 

해당 DC bias hunting문제를 해결하고자 몇가지 시도를 하였는데 근본적인 원인이 해결되지 않아 질문 드립니다.

 

해당 공정에서 Source(13.56MHz) : 1000W continuous 사용.

                     Bias 1 (13.56MHz) : 75W continuous 사용.

 

해결책 1. bias match 교체

- DC Bias Hunting 시 Bias1 Shunt Postition Trend 도 동일하게 hunting발생하여 Bias Match 교체를 합니다.

 > Q. Bias Series Position Trend는 일정하게 유지하는데, DC bias와 bias1 Shunt position이 동일하게 hunting하는 이유가 명확하지 않아 질문드립니다. 

 

 

해결책 2. Plasma Screen과 Cathode 체결력 검증

 

- Plasma Screen

Etch 챔버에서 원형  플라즈마 스크린은 음극  라이너 상단에서 챔버  라이너까지 수평으로 확장되며  음극 라이너의 확장  역할을 합니다. 그것은 슬릿이 있는알루미늄으로 만들어져  웨이퍼 평면 위와  아래에서 균등화를 펌핑할  수 있습니다. 그 기능은 플라즈마를  웨이퍼 평면 위의  영역으로 제한하는 것입니다.

 

- Plasma Screen 과 cathode sleeve 사이의 불균일한 접촉이 Plasma RF return path에 poor한 영향을 주고 -> DC bias에 영향을 주는것으로 알고 있는데요, 설명이 이해가 잘 안되어서요, 혹시 관련 Plasma Return Path에 참고할만한 자료가 있을까요?

 

 

 

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위 해결책 1,2 진행시 단기간적으로는 해결이 되는 듯 보였으나, 해당문제가 지속적으로 발생하고 있습니다.. DC bias Hunting 관련 질문 답변 부탁드리겠습니다.  

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