Sheath plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다.
2019.10.10 13:10
안녕하세요 교수님, 석사과정을 진행중인 학생입니다.
RIE에 대하여 공부하다 해결되지 않는 사항이 있어 질문드리고자 합니다.
ion theath thickness와 MFP와의 관계에 따라 ion directionality가 달라지고, ARDE가 발생하게 된다는 것 까진 학습하였습니다.(차일드-랭뮤어의 식)
1. Ion의 mass에 따라 sheath thickness가 변하는데, sheath thickness가 ion 가속, MFP, Vdc(self bias)에 끼치는 영향이 있는지 여쭙고자 합니다.
(Ion mass --> sheath thickness변화 ==> ion 가속영향? / MFP 영향? / Vdc 영향?..아니면 그 자체로는 다른 parameter에 영향이 없는지..)
2. RIE에서 wafer(electrode)의 open area의 경우, ion flux와 electron flux가 같다고 학습하였습니다.
이때 gas를 바꾸었을 때 ion의 mass가 바뀌었을 때,(ex, F --> Br) ion flux가 동일한지, 그렇다면 동일 flux이므로 wafer incident ion energy는 mass가 증가한 만큼 증가하게 되는지, electron의 energy가 ion의 mass나 이온화E에 영향이 있는지 여쭙고자 합니다. (속도가 동일하므로, mass증가에 따라 ion의 kinetic E 증가하는지...)
조금 두서없이 썼지만, 공부하는 중 해결이 잘 되지않아 교수님께 질문드리고자 합니다.
감사합니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76855 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57193 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92610 |
157 | 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] | 1922 |
156 | 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] | 1959 |
155 | ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] | 1981 |
154 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2007 |
153 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2054 |
152 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2138 |
151 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2147 |
150 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2175 |
149 | 플라즈마볼 제작시 [1] | 2248 |
148 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2249 |
147 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2261 |
146 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2284 |
145 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2334 |
144 | RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] | 2432 |
143 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2435 |
142 | 질문있습니다. [1] | 2578 |
141 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2730 |
140 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2781 |
139 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3133 |
138 | 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 | 3167 |