Sheath wafer bias

2019.06.28 14:49

cassowary 조회 수:1109

반도체 장비관련 업체에서 재직중인 사람입니다.

아직 플라즈마 관련하여 공부한지 얼마 되지 않아 많이 부족한ㄷ네

여기서 많은 도움을 얻다 막히는 것이 있어 질문 올리게 되었습니다.



bias 에 대해 보고 있는데


보통 RF플라즈마 내에서 극판 크기에 의한 전위 차에 의해 자연스레 웨이퍼 구간에 - 전압의 self bias가 인가 되고

이를 식각이나 증착 시 Ar+이온의 속도와 방향성을 높여줘 식각과 증착의 성능에 영향을 주는 것으로 알고 있습니다.

이런 self bias 를 증가시키기 위해 척 쪽에 RF sorce 를 인가하여 bias 를 높이는 것으로 들었습니다.

( 틀린 부분이 있다면 수정 부탁드립니다. )


1. 척에 DC 전압을 인가했을 경우 영향을 알고 싶습니다.

기본적으로 척과 웨이퍼가 부도체이기 때문에,

DC전압을 인가하면 인력으로 끌려온 Ar+ 입자가 다시 전자를 얻고 떨어지지 못하고

Ar+ 이온이 표면에 계속 누적되면서 성능에 악영향을 끼친다고 생각됩니다.

이 생각이 맞는지, 잘못된 것이 있거나 추가할 내용 부탁드립니다.



2. 척이나 히터가 아닌 웨이퍼에 전원을 직접 인가하는 경우가 있는지 알고 싶습니다.

그리고 그런 경우가 있다면, 어떤 이점을 얻을 수 있는지

없다면 왜 안하는지(불가능한지) 에 대해 간략히 설명 부탁드립니다.

제생각은 웨이퍼에 전원을 인가하는 것 자체가 구조적으로 어렵기 때문에

전원 인가가 용이한 척에 전원을 인가하는거라 생각하고 있습니다.



p.s. 실명으로 질문을 올려라 하셔서 개인정보에서 수정하였는데

질문에 올라가는건 아이디만 올라가서 실명노출이 안되네요..재가입을 해야하는건가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [262] 76503
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20046
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57103
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68585
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91564
662 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 593
661 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 593
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 596
659 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 610
658 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 614
657 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 619
656 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 622
655 Polymer Temp Etch [1] 624
654 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 625
653 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 630
652 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 631
651 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 639
650 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 646
649 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 647
648 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 656
647 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 665
646 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 665
645 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 667
644 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 675
643 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 676

Boards


XE Login