Sheath self bias

2004.06.19 16:59

관리자 조회 수:19115 추천:265

self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도  Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17256
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53093
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64492
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85106
558 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 746
557 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 753
556 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 755
555 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 773
554 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 777
553 플라즈마 챔버 [2] 778
552 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 781
551 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 789
550 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 789
549 Plasma Generator 관련해서요. [1] 791
548 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 797
547 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 798
546 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 802
545 진학으로 고민이 있습니다. [2] 803
544 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 806
543 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 808
542 알고싶습니다 [1] 811
541 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 811
540 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 817
539 plasma 형성 관계 [1] 834

Boards


XE Login