안녕하세요? 반도체 회사 연구원입니다.

 

반도체 Etching 공정관련 한 가지 궁금한 사항 문의드리고자 질문올립니다.

 

Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring 소재의 유전율과 체적저항이 챔버 내 Plasma 형성에 영향을 미치는지 궁금합니다.

(최근에는 CVD SiC Ring을 많이 활용하고 있습니다.)

 

예를들어, 유전상수와 체적저항이 ~할수록 Plasma가 생정되는 정도와 분포가 어떤식으로 변화할까요?

 

조금은 포괄적인 질문이라 답변이 어려울수도있겠습니다.

 

감사합니다. 교수님.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [102] 3672
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15355
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50581
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63008
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82184
529 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 706
528 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 706
527 RF matcher와 particle 관계 [2] 708
526 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 713
525 진학으로 고민이 있습니다. [2] 716
524 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 719
523 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 720
522 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 724
521 wafer bias [1] 724
520 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 731
519 Plasma Generator 관련해서요. [1] 739
518 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 745
517 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 745
516 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 749
515 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 754
514 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 755
513 공정플라즈마 [1] 758
512 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 758
511 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 761
510 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 768

Boards


XE Login